型号/品牌/封装
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资料
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品类: JFET晶体管描述: ON Semiconductor MMBFJ270 P通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: -2 → -15mA, 3引脚 SOT-23封装855310-49¥1.336550-99¥1.2672100-299¥1.2177300-499¥1.1880500-999¥1.15831000-2499¥1.12862500-4999¥1.0841≥5000¥1.0742
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品类: JFET晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ111 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET57535-24¥2.713525-49¥2.512550-99¥2.3718100-499¥2.3115500-2499¥2.27132500-4999¥2.22115000-9999¥2.2010≥10000¥2.1708
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品类: 双极性晶体管描述: ON Semiconductor KST42MTF , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 3引脚 SOT-23封装328320-49¥0.229550-99¥0.2125100-299¥0.2040300-499¥0.1972500-999¥0.19211000-4999¥0.18875000-9999¥0.1853≥10000¥0.1819
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 100V 36A550120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: ROHM Two transistors per an integrated circuit semiconductor package. ### 双极晶体管,ROHM877520-49¥0.243050-99¥0.2250100-299¥0.2160300-499¥0.2088500-999¥0.20341000-4999¥0.19985000-9999¥0.1962≥10000¥0.1926
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品类: MOS管描述: DPAK N-CH 100V 31A887020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: DPAK P-CH 55V 18A507710-49¥1.282550-99¥1.2160100-299¥1.1685300-499¥1.1400500-999¥1.11151000-2499¥1.08302500-4999¥1.0403≥5000¥1.0308
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(2+Tab) DPAK79605-24¥1.836025-49¥1.700050-99¥1.6048100-499¥1.5640500-2499¥1.53682500-4999¥1.50285000-9999¥1.4892≥10000¥1.4688
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装26725-24¥1.701025-49¥1.575050-99¥1.4868100-499¥1.4490500-2499¥1.42382500-4999¥1.39235000-9999¥1.3797≥10000¥1.3608
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装25865-24¥2.227525-49¥2.062550-99¥1.9470100-499¥1.8975500-2499¥1.86452500-4999¥1.82335000-9999¥1.8068≥10000¥1.7820
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8622, 17 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装78035-24¥5.494525-49¥5.087550-99¥4.8026100-499¥4.6805500-2499¥4.59912500-4999¥4.49745000-9999¥4.4567≥10000¥4.3956
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。323510-99¥9.4440100-499¥8.9718500-999¥8.65701000-1999¥8.64132000-4999¥8.57835000-7499¥8.49967500-9999¥8.4366≥10000¥8.4052
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装65255-24¥2.092525-49¥1.937550-99¥1.8290100-499¥1.7825500-2499¥1.75152500-4999¥1.71285000-9999¥1.6973≥10000¥1.6740
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。37015-49¥19.609250-199¥18.7712200-499¥18.3019500-999¥18.18461000-2499¥18.06732500-4999¥17.93325000-7499¥17.8494≥7500¥17.7656
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86540, 18 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装84875-49¥15.093050-199¥14.4480200-499¥14.0868500-999¥13.99651000-2499¥13.90622500-4999¥13.80305000-7499¥13.7385≥7500¥13.6740
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品类: MOS管描述: FDMC2674 系列 220 V 366 mOhm N 沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power3389175-24¥6.304525-49¥5.837550-99¥5.5106100-499¥5.3705500-2499¥5.27712500-4999¥5.16045000-9999¥5.1137≥10000¥5.0436
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装693310-49¥1.147550-99¥1.0880100-299¥1.0455300-499¥1.0200500-999¥0.99451000-2499¥0.96902500-4999¥0.9308≥5000¥0.9223
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN86246, 1.6 A, Vds=150 V, 3引脚 SOT-23封装47675-24¥5.521525-49¥5.112550-99¥4.8262100-499¥4.7035500-2499¥4.62172500-4999¥4.51955000-9999¥4.4786≥10000¥4.4172
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6322C, 220 mA,410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装90515-24¥6.628525-49¥6.137550-99¥5.7938100-499¥5.6465500-2499¥5.54832500-4999¥5.42565000-9999¥5.3765≥10000¥5.3028
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。203310-99¥8.8680100-499¥8.4246500-999¥8.12901000-1999¥8.11422000-4999¥8.05515000-7499¥7.98127500-9999¥7.9221≥10000¥7.8925
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品类: MOS管描述: FDMS7694 编带831910-49¥1.134050-99¥1.0752100-299¥1.0332300-499¥1.0080500-999¥0.98281000-2499¥0.95762500-4999¥0.9198≥5000¥0.9114
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。121710-99¥11.0880100-499¥10.5336500-999¥10.16401000-1999¥10.14552000-4999¥10.07165000-7499¥9.97927500-9999¥9.9053≥10000¥9.8683
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品类: 双极性晶体管描述: ON Semiconductor FMB2222A, 双 NPN 晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:100, 300 MHz, 6引脚 SOT-23封装758110-49¥1.147550-99¥1.0880100-299¥1.0455300-499¥1.0200500-999¥0.99451000-2499¥0.96902500-4999¥0.9308≥5000¥0.9223
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V478310-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装883720-49¥0.472550-99¥0.4375100-299¥0.4200300-499¥0.4060500-999¥0.39551000-4999¥0.38855000-9999¥0.3815≥10000¥0.3745
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。638710-99¥7.1760100-499¥6.8172500-999¥6.57801000-1999¥6.56602000-4999¥6.51825000-7499¥6.45847500-9999¥6.4106≥10000¥6.3866
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7678, 63 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装74365-24¥3.577525-49¥3.312550-99¥3.1270100-499¥3.0475500-2499¥2.99452500-4999¥2.92835000-9999¥2.9018≥10000¥2.8620
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。72315-24¥1.660525-49¥1.537550-99¥1.4514100-499¥1.4145500-2499¥1.38992500-4999¥1.35925000-9999¥1.3469≥10000¥1.3284